冯哲川

冯哲川，男，1944年12月出生，美籍华人，2014年以“杰出人才”层次引进到广西大学物理科学与工程技术学院。毕业于美国匹兹堡大学，获博士学位。具有30多年从事半导体材料和器件方面的丰富研究经历，曾工作于Emory，Singapore国立大学，美国乔治亚理工学院，EMCORE公司，Singapore材料研究及工程学院，和台湾大学。2015年1月台湾大学工作11年后退休，于3月受聘加入广西大学物理学院为杰出教授，组建并领导光电子材料与探测技术实验室（依托广西相对论天体物理重点实验室）。 主要研究方向和领域着重于宽能隙半导体的多学科材料研究及奈米器件制程及研发，金属氧化物化学气相外延和其他技术长晶及研究，表面科学，同步辐射，多学科检测技术在光学/电子材料/结构的应用，计算机理论仿真宽能隙半导体及奈米结构之光学和材料特性。希望对于以上复合材料的改进提供贡献，例如：探索不同的长晶方法，研究生长过程的缺陷和问题，深入其物理机制和了解光学及结构实验上的发现，探索新路径以控制生长过程中产生的缺陷，以制成高质量的碳化硅、氮化物、氧化物和其他外延材料和器件。已出版9本关于先进化合物半导体材料和微观结构、多孔硅、碳化硅和三族氮化物的英文专书，并有3本关于固态照明与LED及氮化物的英文专书将于2016年内出版，发表文章600多篇，220多篇被SCI收录，被引用次数超过3000次。