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推荐会议：2024年全国先进生产系统理论与应用研讨会暨国际产学研用合作会议智能制造论坛暨大湾区工业工程前沿论坛
发票类型：增值税普通发票 增值税专用发票
在过去的十几年里， 针对不同应用的THz间隙内的频谱（30GHz到30 THz），比如在毫米和亚毫米波范围内的工业传感器和图像应用，点对点无线通信，极宽带ADCs，400Gb/s光（主链）传输、高分辨率的150 GHz汽车雷达，以及移动通信高线性放大器等的应用兴趣有所增加。此外，这个频段在电路和系统级上也有很多应用领域，如健康（医疗设备，皮肤和遗传筛选），材料科学（安全检查和研究），大规模运输（安检，在座位通讯），工业自动化（传感器），通信（地面，卫星），以及空间探索等。然而，在商业市场的这些高性能的电路和系统主要是由成本，构成因素和能效来驱动。有些在毫米和亚毫米波范围的应用不能由数字CMOS处理技术完成，这是由于寄生效应对高频（HF）的影响，以及CMOS截止频率的局限性。并且，由于商业应用的多样性，这个体量不足以去用先进的数字CMOS工艺和一些被动器件。一个更具成本效益的解决方案是高性能的锗硅（SiGe）模块化集成异质结双极晶体管（HBT）和高频应用的专用无源器件嵌入不是非常高端的CMOS工艺。由此产生的BiCMOS技术已经成为一个主流的制造平台。平台内种类繁多的现有高频产品是由像IBM/GlobalFoundrie这样的半导体厂和研究机构， ST微电子55纳米的SiGeC BiCMOS工艺，以及IHP的全球最快的超过0.5太赫兹的截止频率SiGe BiCMOS工艺（130nm）所提供。
课程1将提供一个在SiGe HBT物理原理和现有CMOS平台的工艺集成方案上的详细介绍，同时会展开RF-CMOS, 锗硅BiCMOS及三五族(III/V)技术的流程对比。
对于电路设计人员来说，一个良好的设计环境，和最先进的CAD工具是很重要的。课程2中展示基于SiGe HBT建模和可靠性方面的细节， 以及支持RF设计的工艺设计包中的特殊射频组件。
课程3将侧重于RF应用的SiGe BiCMOS技术的先进技术模块，接下来的课程4将会涉及到从10GHz到500GHz的设计实例，有竞争力的RF-CMOS，SiGe设计特性和三五族技术也会在课程4中做相关的比对。
在课程5中， 三个最新的与产业应用相关的设计实例将会更详细地介绍在 SiGe BiCMOS 工艺线上产品的开发。
在课程6中，一家德国设计公司Silicon Radar（从IHP分离）将向我们展示基于SiGe BiCMOS技术在24 GHz和120 GHz的雷达产品。 关于120GHZ的雷达芯片组，也将在现场演示。在演示中，我门将会侧重于产品开发中射频封装概念和射频测试问题。
除了在微波应用上的重要性，SiGe技术为在不久的将来开发太赫兹产品打开了一扇成功之门。不仅仅是在微波应用方面，这个最新的世界性研究课题也将在我们的课程中提到。特别是在课程7，我们将展示中国研究院采用IHP的SiGe技术很多年下来的研究课题进展。
最后在课程8将介绍IHP的MPW代工服务，它向未来设计公司通向SiGe BiCMOS工艺展示了一个非常便捷的途径。
会议时间：2016年03月17—18日（2天）
报到注册时间：2016年3月17号，上午9:00-9:30
会议地点：上海集成电路技术与产业促进中心（1楼报告厅）
上海市浦东新区张江高科技园区张东路1388号21幢
这次会议适合代工厂工艺工程师，经理以及专注于高频应用（高速传输， 雷达应用，毫米波成像和探测）的设计人员参加。另外， 从SIGE BICMOS 工艺上的不同产品的展示，对想拥有类似产品的设计人员和客户来说是非常有吸引力的。 当然，这个会议也欢迎国内代工企业的高层管理人员一起来参与讨论IHP和本土拥有BICMOS 工艺的晶圆代工厂之间可能的合作。
第一天：2016年03月17日（星期四）
课程3:时间：1:30pm-3:00pm
主题：HighendRFTechnologyModulesonCMOS/BiCMOSaMorethanMoorestrategy-ByDr.M.Kaynak
-超越摩尔定律策略的CMOS/BiCMOS高端射频技术模块——M.Kaynak博士
-BiCMOSembeddedRF-MEMS
BiCMOS嵌入式射频微机电系统(RF-MEMS)
-BiCMOSembeddedThroughSiliconVias
BiCMOS嵌入式硅通孔
-MicrofluidicsforTHzbio-sensingapplications
用于太赫兹生物传感应用的微流控
-Fanoutwaferlevelpackaging(eWLB)forRFapplications
射频应用中扇出晶圆级封装(eWLB)
第一天：2016年03月17日 （星期四）
课程4:时间：3:30pm-5:00pm
主题：OverviewSiGeCircuitDesign–ByDr.M.Kaynak
-锗硅电路设计的综述——M.Kaynak博士
-ApplicationcomparisonRF-CMOS,SiGeBiCMOS,III/VTechnologies
RF-CMOS，锗硅BiCMOS及III/V族技术的应用比较
-SelectedSiGeDesignExamplesfrom10GHzto500GHz
挑选的从10GHz到500GHz的锗硅设计案例
第二天：2016年03月18日 （星期五）
课程5:时间：9:30am-11:00am
主题：WirelessApplications:Fromresearchtoproduct-ByDr.Y.Sun
-无线应用：从研究到产品——孙耀明博士
-60GHzforcommunication
用于通信的60GHz频段
-120GHzRadaronchipsolution
用于芯片解决方案中雷达的120GHz频段
-77GHzRadarforAutomotive:front-endsolutionchipsetspre-release
用于汽车雷达的77GHz频段：前端解决方案芯片组预览
第二天：2016年03月18日 （星期五）
课程6:时间：11:00am-12:00am
主题：SiliconRadar–ExpertsonMMICsRadarProducts-ByD.Genschow
-硅雷达-单片式微波集成电路(MMIC)雷达产品中的明星——D.Genschow博士
-24GHzRadarFrontendChips
24GHz雷达前端芯片
-PackagingConceptandRFTestingon120GHzRadarreferenceproduct
120GHz雷达产品的包装理念和RF测试
-120GHzDemonstrationBoard–onsitedemo
120GHz现场演示
第二天：2016年03月18日 （星期五）
课程7:时间：1:15pm-3:00pm
主题：TMillimetre-waveandTHzApplications–SiGeDesignResearchinChina–ByProf.Y.Z.Xiong
-中国锗硅设计研究—毫米波和太赫兹的应用——熊永忠教授
-W-bandtranscevier
W波段收发器
-D-bandtransceiver
D波段收发器
-340GHztransceiver
340GHz收发器
第二天：2016年03月18日 （星期五）
课程8:时间：3:30pm-4:15pm
主题：MPWandFoundryServicefromIHP-ByDr.R.F.Scholz
-德国高性能微电子研究所（IHP）)的多项目晶圆(MPW)和晶圆代工服务——R.F.Scholz博士
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René Scholz
IHP MPW和晶圆代工服务
项目负责人
Genschow
德国Tier 1公司
设计工程师
孙耀明
德国法兰克福奥德的IHP
研究员
熊永忠
中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心半导体器件研究室
教授
Mehmet Kaynak
IHP技术部门
项目负责人
Andreas Mai
IHP技术部门
“流程整合”项目组负责人
本期研讨会报名费：2500元/人（含授课费、场地租赁费、资料费、会员期间午餐），学员交通、食宿等费用自理。
团体注册报名优惠：3人（共7000元），4人（共8800元），5人及以上团体报名优惠可协商；
在校学生注册报名优惠：1800元/人
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2016-03-17 08:00 至 2016-03-18 18:00
