“芯”时代 、“芯”动能 、“芯”思路 ——2018年中国集成电路国际高峰论坛

部分嘉宾介绍

陈志宽

美国新思科技公司总裁兼联席首席执行官，负责规划公司愿景及战略。凯斯西储大学的计算机工程硕士和博士学位。在新思科技的各发展时期，凭借其战略眼光和丰富经验，成功主导完成众多全球知名高科技公司的收并购案，不断加强和扩展产品战略布局和区域生态建设，成功构建新思科技在全球半导体和信息安全领域的领导者地位。

蒋尚义

台积电原CTO、台湾工研院院士、IEEE Fellow；台湾大学、普林斯顿大学和斯坦福大学学士、硕士和博士学位。    在全球半导体行业中,有超过40年的行业资历,曾亲自参与过CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOs、SOi、GaAs激光、LED、电子束光刻和硅基太能电池等项目。进入台积电后,带领技术研发队伍一路攻关0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm工艺。

马佐平

微纳电子科学家；美国工程院院士、中科院外籍院士、台湾中研院院士；耶鲁大学教授、电机系系主任、微电子研究中心共同主任；中国科学院、清华大学、天津大学、山东大学、福州大学名誉教授；IBM、Intel、HP、美光、日立、东芝、台积电等国际公司的高级科技顾问。对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质(包括高介电常数的栅介质)的科技领域做出重要贡献。

郑耀宗

微电子学专家，中国科学院院士 ，前香港城市大学校长、前香港大学校长。专长于MOS系统，曾发明掺氯化氢硅氧化技术，以提高MOS电子元件的可靠性及品质；在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，是对MOS器件物理的一大发展；在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。