2019芯动力人才计划第92期国际名家讲堂（南京）

 讲堂大纲

课程1（第一天9月11日）：CMOS射频功率放大器:架构、拓扑及其电路实现

课程大纲：

本课程着重涵盖5G通信与雷达应用中射频及毫米波功率放大器的设计和实现。包括对功率放大器的需求和品质因数的深入讨论，功率放大器的设计和实现的挑战，不同的类别和拓扑结构，以及提高效率和线性度的各种架构。在课程的最后，将通过几个案例具体说明功率放大器在设计、实现和测试中的一些常见错误。

课程内容：

第一部分：系统级的功率放大器设计，包括对输出功率（峰值功率、平均功率、调制功率）、效率的定义、线性图标（频谱模板、ACLR、ACP和EVM的定义）、线性性能（AM/AM、AM/PM、PM/AM和PM/PM）、PAPR和动态范围的讨论。

第二部分：功率放大器从基础到精通详解；线性、饱和和开关模式、导通角、过驱动级、ZVS和ZCS、谐波终端、每个拓扑结构的优点和缺点等。

第三部分：效率增强架构和线性化技术，包括动态偏置、电源偏置、包络跟踪、平均功率跟踪、极性调制、S级、H级、G级、异相、Chireix、Linc、Doherty、数字Doherty、数字功放、开关电容功放等架构。

第四部分：功率放大器中的偏置，稳定性，共模和不平衡问题，共模和差模稳定性，不平衡和巴伦，偏置要求，干扰电源纹波，功率放大器的测试挑战。

课程2（第二天9月12日）：基于CMOS工艺的毫米波和太赫兹晶体管级电路设计

课程大纲：

本课程将介绍CMOS工艺下中毫米波电路的设计，频率范围从28GHz至600GHz。 着重讨论在这些高频状态下MOS管的基本原理，以及版图优化以获得最大增益和稳定性。 随后讨论了CMOS工艺下无源器件的毫米波特性，该课程还对变压器进行了深入的讨论，用于宽带阻抗匹配和平衡-非平衡转换。 最后，给出了关于CMOS工艺下太赫兹电路的最新的研究结果。

课程内容：

第一部分：CMOS工艺下有源器件的毫米波特性：高频品质因数，ft，fmax，栅极电阻，稳定性考虑，版图优化，毫米波宽带匹配。

第二部分：CMOS工艺下有源器件的无源器件：电容，电感，变压器，巴伦，焊盘，屏蔽，耦合，封装，dummy填充，衬底损耗的影响。

第三部分：CMOS工艺下基于变压器的毫米波功率放大器设计; 阻抗匹配，低压PA技术，堆叠和级联，功率合成，变压器，射频宽带匹配......

第四部分：针对CMOS工艺下的太赫兹电路设计; 非线性电路行为，片上天线，fmax以上的亚太赫兹阵列，非线性生成和提取。

-会议门票-

注册费：参加两天课程4600元/人，参加任意一天课程3000元/人